Продукція > VISHAY > SI4943CDY-T1-GE3
SI4943CDY-T1-GE3

SI4943CDY-T1-GE3 Vishay

si4943cd.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+36.26 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4943CDY-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI4943CDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 8 A, 8 A, 0.0275 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0275ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0275ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції SI4943CDY-T1-GE3 за ціною від 45.22 грн до 136.03 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SI4943CDY-T1-GE3 SI4943CDY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4943cdy.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+50.97 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SI4943CDY-T1-GE3 SI4943CDY-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si4943cdy.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1945pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.2mOhm @ 8.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+51.42 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SI4943CDY-T1-GE3 SI4943CDY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4943cdy.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+55.18 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SI4943CDY-T1-GE3 SI4943CDY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4943cdy.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+91.06 грн
10+ 81.18 грн
25+ 80.37 грн
100+ 67.28 грн
250+ 59.74 грн
500+ 52.79 грн
1000+ 45.22 грн
Мінімальне замовлення: 7
SI4943CDY-T1-GE3 SI4943CDY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4943cdy.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
124+98.07 грн
139+ 87.43 грн
140+ 86.55 грн
161+ 72.45 грн
250+ 64.34 грн
500+ 56.85 грн
1000+ 48.7 грн
Мінімальне замовлення: 124
SI4943CDY-T1-GE3 SI4943CDY-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si4943cdy.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1945pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.2mOhm @ 8.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 4347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+113.83 грн
10+ 91.18 грн
100+ 72.6 грн
500+ 57.65 грн
1000+ 48.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
SI4943CDY-T1-GE3 SI4943CDY-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si4943cdy.pdf MOSFET -20V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+124.4 грн
10+ 101.78 грн
100+ 70.39 грн
250+ 66.14 грн
500+ 58.82 грн
1000+ 50.46 грн
2500+ 47.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
SI4943CDY-T1-GE3 SI4943CDY-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0014905712-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4943CDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 8 A, 8 A, 0.0275 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0275ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0275ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+136.03 грн
10+ 103.2 грн
100+ 74.9 грн
500+ 61.27 грн
1000+ 53.74 грн
Мінімальне замовлення: 6
SI4943CDY-T1-GE3 Виробник : VISHAY si4943cdy.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -20V; -8A; Idm: -30A
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -30A
Case: SO8
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -8A
On-state resistance: 33mΩ
Type of transistor: P-MOSFET x2
Power dissipation: 3.1W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 62nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
SI4943CDY-T1-GE3 Виробник : VISHAY si4943cdy.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -20V; -8A; Idm: -30A
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -30A
Case: SO8
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -8A
On-state resistance: 33mΩ
Type of transistor: P-MOSFET x2
Power dissipation: 3.1W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 62nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
товар відсутній