Продукція > VISHAY SILICONIX > SI4900DY-T1-E3
SI4900DY-T1-E3

SI4900DY-T1-E3 Vishay Siliconix

si4900dy.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+35.18 грн
5000+ 32.26 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4900DY-T1-E3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 3.1W, Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.3A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active.

Інші пропозиції SI4900DY-T1-E3 за ціною від 29.81 грн до 85.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SI4900DY-T1-E3 SI4900DY-T1-E3 Виробник : Vishay si4900dy.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 4.3A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
240+50.92 грн
242+ 50.41 грн
244+ 49.9 грн
275+ 42.82 грн
277+ 39.26 грн
500+ 32.11 грн
Мінімальне замовлення: 240
SI4900DY-T1-E3 SI4900DY-T1-E3 Виробник : Vishay si4900dy.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 4.3A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+51.94 грн
13+ 47.28 грн
25+ 46.81 грн
50+ 44.68 грн
100+ 36.82 грн
250+ 35 грн
500+ 29.81 грн
Мінімальне замовлення: 12
SI4900DY-T1-E3 SI4900DY-T1-E3 Виробник : Vishay Semiconductors si4900dy.pdf MOSFETs 60V 5.3A 3.1W
на замовлення 35506 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+79.32 грн
10+ 65.62 грн
100+ 45.71 грн
500+ 38.68 грн
1000+ 33.43 грн
2500+ 31.23 грн
5000+ 30.94 грн
Мінімальне замовлення: 5
SI4900DY-T1-E3 SI4900DY-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si4900dy.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 11048 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+85.22 грн
10+ 67.05 грн
100+ 52.12 грн
500+ 41.45 грн
1000+ 33.77 грн
Мінімальне замовлення: 4
SI4900DY-T1-E3 Виробник : VISHAY si4900dy.pdf
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SI4900DYT1E3 Виробник : VISHAY
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SI4900DY-T1-E3 SI4900DY-T1-E3 Виробник : Vishay si4900dy.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 4.3A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
SI4900DY-T1-E3 Виробник : VISHAY si4900dy.pdf SI4900DY-T1-E3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності