![SI4894BDY-T1-GE3 SI4894BDY-T1-GE3](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/3759/742~5498~DY,-EY~8.jpg)
SI4894BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix
![si4894bd.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET N-CH 30V 8.9A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1580 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 36.35 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI4894BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 8.9A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1580 pF @ 15 V.
Інші пропозиції SI4894BDY-T1-GE3 за ціною від 32.26 грн до 94.3 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SI4894BDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1580 pF @ 15 V |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SI4894BDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
![]() |
на замовлення 1992 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
SI4894BDY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() |
на замовлення 135500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
SI4894BDY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() |
на замовлення 77500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
SI4894BDY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
![]() |
SI4894BDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
SI4894BDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
SI4894BDY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 12A; Idm: 40A; 2.5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Case: SO8 Gate charge: 38nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Mounting: SMD Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 40A Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2.5W On-state resistance: 16mΩ Drain current: 12A Drain-source voltage: 30V кількість в упаковці: 2500 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
SI4894BDY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 12A; Idm: 40A; 2.5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Case: SO8 Gate charge: 38nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Mounting: SMD Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 40A Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2.5W On-state resistance: 16mΩ Drain current: 12A Drain-source voltage: 30V |
товар відсутній |