на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 19.06 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI4894BDY-T1-E3 Vishay
Description: MOSFET N-CH 30V 8.9A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1580 pF @ 15 V.
Інші пропозиції SI4894BDY-T1-E3 за ціною від 20.53 грн до 96.88 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
SI4894BDY-T1-E3 | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 8.9A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI4894BDY-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 8.9A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1580 pF @ 15 V |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI4894BDY-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 8.9A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1580 pF @ 15 V |
на замовлення 11198 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI4894BDY-T1-E3 | Виробник : Vishay Semiconductors | MOSFETs 30V 12V 1.4W |
на замовлення 3780 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI4894BDYT1E3 | Виробник : VISHAY |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
SI4894BDY-T1-E3 | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 8.9A 8-Pin SOIC N T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
SI4894BDY-T1-E3 | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 8.9A 8-Pin SOIC N T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
SI4894BDY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9.5A; 2.5W; SO8 Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Case: SO8 Gate charge: 38nC Kind of channel: enhanced Mounting: SMD Gate-source voltage: ±20V Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2.5W On-state resistance: 16mΩ Drain current: 9.5A Drain-source voltage: 30V кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
SI4894BDY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9.5A; 2.5W; SO8 Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Case: SO8 Gate charge: 38nC Kind of channel: enhanced Mounting: SMD Gate-source voltage: ±20V Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2.5W On-state resistance: 16mΩ Drain current: 9.5A Drain-source voltage: 30V |
товару немає в наявності |