SI4890DY-T1-E3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 83.34 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI4890DY-T1-E3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA (Min), Supplier Device Package: 8-SOIC, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V.
Інші пропозиції SI4890DY-T1-E3 за ціною від 75.32 грн до 217.76 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SI4890DY-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA (Min) Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI4890DY-T1-E3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET 30V 11A 2.5W |
на замовлення 2490 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SI4890DYT1E3 | Виробник : VISHAY |
на замовлення 50000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
| SI4890DY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
09+ |
на замовлення 20018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| SI4890DY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
SO-8 |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
 |
SI4890DY-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin SOIC N T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
SI4890DY-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin SOIC N T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
SI4890DY-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin SOIC N T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| SI4890DY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 11A; Idm: 50A; 2.5W Mounting: SMD Case: SO8 Drain-source voltage: 30V Drain current: 11A On-state resistance: 20mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2.5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 20nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±25V Pulsed drain current: 50A кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| SI4890DY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 11A; Idm: 50A; 2.5W Mounting: SMD Case: SO8 Drain-source voltage: 30V Drain current: 11A On-state resistance: 20mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2.5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 20nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±25V Pulsed drain current: 50A |
товару немає в наявності |