Продукція > VISHAY SILICONIX > SI4866DY-T1-GE3
SI4866DY-T1-GE3

SI4866DY-T1-GE3 Vishay Siliconix

si4866dy.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 12V 11A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 17A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+65.77 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4866DY-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 12V 11A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 17A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min), Supplier Device Package: 8-SOIC, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V.

Інші пропозиції SI4866DY-T1-GE3 за ціною від 62.56 грн до 163.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SI4866DY-T1-GE3 SI4866DY-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si4866dy.pdf Description: MOSFET N-CH 12V 11A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 17A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+145.87 грн
10+ 116.66 грн
100+ 92.85 грн
500+ 73.73 грн
1000+ 62.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
SI4866DY-T1-GE3 SI4866DY-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si4866dy.pdf MOSFET 12V 17A 3.0W 5.5mohm @ 4.5V
на замовлення 1930 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+163.12 грн
10+ 133.85 грн
100+ 92.26 грн
250+ 85.88 грн
500+ 78.07 грн
1000+ 66.64 грн
2500+ 62.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
SI4866DY-T1-GE3 SI4866DY-T1-GE3 Виробник : Vishay si4866dy.pdf Trans MOSFET N-CH 12V 11A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності