на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 30.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI4850EY-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI4850EY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6 A, 0.018 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.3W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Інші пропозиції SI4850EY-T1-GE3 за ціною від 47.2 грн до 118.77 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI4850EY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 60V 6A 8SOPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
SI4850EY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 6A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 3636 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
SI4850EY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4850EY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6 A, 0.018 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.3W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 4901 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SI4850EY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 6A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SI4850EY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 6A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 3636 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SI4850EY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4850EY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6 A, 0.018 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.3W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 4901 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
SI4850EY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 60V Vds 20V Vgs SO-8 |
на замовлення 10059 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SI4850EY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 6A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V |
на замовлення 6447 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SI4850EY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 6A 8-Pin SOIC N T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
 |
SI4850EY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 6A; Idm: 40A; 1.2W; SO8 Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Case: SO8 Gate charge: 27nC Kind of channel: enhanced Mounting: SMD Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 40A Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.2W On-state resistance: 22mΩ Drain current: 6A Drain-source voltage: 60V кількість в упаковці: 2500 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
|
|
SI4850EY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 6A; Idm: 40A; 1.2W; SO8 Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Case: SO8 Gate charge: 27nC Kind of channel: enhanced Mounting: SMD Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 40A Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.2W On-state resistance: 22mΩ Drain current: 6A Drain-source voltage: 60V |
товар відсутній |