Продукція > VISHAY > SI4850EY-T1-E3
SI4850EY-T1-E3

SI4850EY-T1-E3 Vishay

71146.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 6A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+30.77 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4850EY-T1-E3 Vishay

Description: VISHAY - SI4850EY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 8.5 A, 0.018 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.7W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).

Інші пропозиції SI4850EY-T1-E3 за ціною від 31.93 грн до 139.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SI4850EY-T1-E3 SI4850EY-T1-E3 Виробник : Vishay 71146.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 6A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+41.55 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SI4850EY-T1-E3 SI4850EY-T1-E3 Виробник : Vishay 71146.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 6A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+41.61 грн
10000+ 31.93 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SI4850EY-T1-E3 SI4850EY-T1-E3 Виробник : Vishay 71146.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 6A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+44.81 грн
10000+ 34.39 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SI4850EY-T1-E3 SI4850EY-T1-E3 Виробник : Vishay 71146.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 6A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+45.03 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SI4850EY-T1-E3 SI4850EY-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix 71146.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 6A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+53.9 грн
5000+ 49.95 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SI4850EY-T1-E3 SI4850EY-T1-E3 Виробник : Vishay 71146.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 6A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+58.82 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SI4850EY-T1-E3 SI4850EY-T1-E3 Виробник : VISHAY 1866556.pdf Description: VISHAY - SI4850EY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 8.5 A, 0.018 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 4120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+86.15 грн
500+ 66.94 грн
1000+ 52.46 грн
Мінімальне замовлення: 100
SI4850EY-T1-E3 SI4850EY-T1-E3 Виробник : Vishay 71146.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 6A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
111+111.3 грн
112+ 110.22 грн
140+ 88.09 грн
250+ 84.09 грн
500+ 65.09 грн
1000+ 43.85 грн
Мінімальне замовлення: 111
SI4850EY-T1-E3 SI4850EY-T1-E3 Виробник : VISHAY 1866556.pdf Description: VISHAY - SI4850EY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 8.5 A, 0.018 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 4120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+111.35 грн
50+ 99.16 грн
100+ 86.15 грн
500+ 66.94 грн
1000+ 52.46 грн
Мінімальне замовлення: 8
SI4850EY-T1-E3 SI4850EY-T1-E3 Виробник : VISHAY 71146.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 8.5A; Idm: 40A
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Gate charge: 27nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3.3W
On-state resistance: 47mΩ
Drain current: 8.5A
Drain-source voltage: 60V
на замовлення 1233 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+116.23 грн
26+ 34.34 грн
71+ 32.53 грн
Мінімальне замовлення: 4
SI4850EY-T1-E3 SI4850EY-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix 71146.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 6A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
на замовлення 8101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+119.91 грн
10+ 95.55 грн
100+ 76.1 грн
500+ 60.43 грн
1000+ 51.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
SI4850EY-T1-E3 SI4850EY-T1-E3 Виробник : Vishay 71146.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 6A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+124.87 грн
10+ 103.35 грн
25+ 102.35 грн
100+ 78.88 грн
250+ 72.3 грн
500+ 58.02 грн
1000+ 40.72 грн
Мінімальне замовлення: 5
SI4850EY-T1-E3 SI4850EY-T1-E3 Виробник : Vishay Semiconductors 71146.pdf MOSFETs 60V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 18920 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+132.71 грн
10+ 109.15 грн
100+ 76.08 грн
500+ 64.05 грн
1000+ 54.34 грн
2500+ 49.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
SI4850EY-T1-E3 SI4850EY-T1-E3 Виробник : VISHAY 71146.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 8.5A; Idm: 40A
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Gate charge: 27nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3.3W
On-state resistance: 47mΩ
Drain current: 8.5A
Drain-source voltage: 60V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1233 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+139.47 грн
26+ 42.79 грн
71+ 39.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
SI4850EYT1E3 Виробник : VISHAY
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)