Продукція > VISHAY > SI4848DY-T1-E3

SI4848DY-T1-E3 Vishay

Name: SI4848DY-T1-E3
Brand: Vishay
SKU: 346319-7
Price: 35.6 UAH
Availability: InStock

Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 150V 2.7A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 12500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
2500+	35.6 грн

Мінімальне замовлення: 2500

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SI4848DY-T1-E3 Vishay

Description: VISHAY - SI4848DY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 2.7 A, 0.068 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.3W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm.

Інші пропозиції SI4848DY-T1-E3 за ціною від 40.31 грн до 172.92 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна без ПДВ

SI4848DY-T1-E3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET N-CH 150V 2.7A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
2500+	43.99 грн
5000+	43.24 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4848DY-T1-E3

Виробник : VISHAY

Description: VISHAY - SI4848DY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 2.7 A, 0.068 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
2500+	45.14 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4848DY-T1-E3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET N-CH 150V 2.7A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
2500+	47.37 грн
5000+	46.57 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4848DY-T1-E3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET N-CH 150V 2.7A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 12500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
2500+	48.45 грн
5000+	47.63 грн
10000+	46.14 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4848DY-T1-E3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET N-CH 150V 2.7A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 12500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
2500+	52.5 грн
5000+	51.61 грн
10000+	49.99 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4848DY-T1-E3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET N-CH 150V 2.7A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 225 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
204+	59.71 грн
205+	59.41 грн

Мінімальне замовлення: 204

SI4848DY-T1-E3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET N-CH 150V 2.7A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 2795 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
197+	61.88 грн
250+	59.4 грн
500+	57.26 грн
1000+	53.41 грн
2500+	47.99 грн

Мінімальне замовлення: 197

SI4848DY-T1-E3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET N-CH 150V 2.7A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 225 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
10+	62.34 грн
11+	55.45 грн
25+	55.17 грн
100+	42.84 грн

Мінімальне замовлення: 10

SI4848DY-T1-E3

Виробник : VISHAY

Description: VISHAY - SI4848DY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 2.7 A, 0.068 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm

на замовлення 7534 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
100+	71.57 грн
500+	56.7 грн
1000+	44.77 грн

Мінімальне замовлення: 100

SI4848DY-T1-E3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET N-CH 150V 2.7A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
2500+	72.82 грн
5000+	66.55 грн
10000+	61.91 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4848DY-T1-E3

Виробник : VISHAY

Description: VISHAY - SI4848DY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 2.7 A, 0.068 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm

на замовлення 7534 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
9+	89.97 грн
50+	80.41 грн
100+	71.57 грн
500+	56.7 грн
1000+	44.77 грн

Мінімальне замовлення: 9

SI4848DY-T1-E3

Виробник : Vishay Semiconductors

MOSFETs 150V Vds 20V Vgs SO-8

на замовлення 47384 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3+	116.75 грн
10+	85.7 грн
100+	56.56 грн
500+	49.75 грн
1000+	45.49 грн
2500+	40.31 грн

Мінімальне замовлення: 3

SI4848DY-T1-E3

Виробник : VISHAY

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 3.7A; Idm: 25A; 3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Gate charge: 21nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 25A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3W
On-state resistance: 95mΩ
Drain current: 3.7A
Drain-source voltage: 150V

на замовлення 2416 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3+	144.1 грн
5+	76.89 грн
17+	51.75 грн
46+	48.79 грн
1000+	47.31 грн

Мінімальне замовлення: 3

SI4848DY-T1-E3

Виробник : Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 150V 2.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V

на замовлення 1955 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3+	148.94 грн
10+	91.89 грн
100+	62.37 грн
500+	46.65 грн
1000+	42.82 грн

Мінімальне замовлення: 3

SI4848DY-T1-E3

Виробник : VISHAY

на замовлення 2416 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
2+	172.92 грн
5+	95.81 грн
17+	62.1 грн
46+	58.55 грн
1000+	56.78 грн

Мінімальне замовлення: 2

SI4848DYT1E3

Виробник : VISHAY

на замовлення 32500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4848DY-T1-E3

Виробник : Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 150V 2.7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V

товару немає в наявності