SI4848BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFET SO-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 157mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 4.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 75 V
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 48.66 грн |
| 10+ | 40.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI4848BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFET SO-, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), 5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 157mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 4.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 75 V.
Інші пропозиції SI4848BDY-T1-GE3 за ціною від 16.1 грн до 57.24 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI4848BDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFET N-Channel 150-V (D-S) MOSFET SO-8, 89 m a. 10V |
на замовлення 25 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI4848BDY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4848BDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 5 A, 0.0742 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 4.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0742ohm SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) |
на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI4848BDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 150V 3.7A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
SI4848BDY-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4848BDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 5 A, 0.0742 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 4.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0742ohm SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) |
на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| SI4848BDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 150V 3.7A 8-Pin SOIC N T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
|
|
SI4848BDY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: N-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFET SO- Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 157mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 4.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 75 V |
товар відсутній |