на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 21.95 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI4559ADY-T1-E3 Vishay
Description: VISHAY - SI4559ADY-T1-E3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 5.3 A, 5.3 A, 0.046 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.3A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.046ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 3.4W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.046ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Інші пропозиції SI4559ADY-T1-E3 за ціною від 38.27 грн до 124.31 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
Si4559ADY-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N/P-CH 60V 5.3A 8SOICPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.1W, 3.4W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A, 3.9A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665pF @ 15V, 650pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V, 22nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
на замовлення 72500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI4559ADY-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N/P-CH 60V 4.3A/3A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI4559ADY-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N/P-CH 60V 4.3A/3A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI4559ADY-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N/P-CH 60V 4.3A/3A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI4559ADY-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N/P-CH 60V 4.3A/3A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 37500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI4559ADY-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N/P-CH 60V 4.3A/3A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 1858 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
Si4559ADY-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N/P-CH 60V 5.3A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.1W, 3.4W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A, 3.9A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665pF @ 15V, 650pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V, 22nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
на замовлення 75417 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
Si4559ADY-T1-E3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET -60V Vds 20V Vgs SO-8 N&P PAIR |
на замовлення 16521 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI4559ADY-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N/P-CH 60V 4.3A/3A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 1858 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI4559ADY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4559ADY-T1-E3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 5.3 A, 5.3 A, 0.046 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.3A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.046ohm Verlustleistung, p-Kanal: 3.4W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.046ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 16049 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| SI4559ADYT1E3 | Виробник : VISHAY |
на замовлення 50000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| Si4559ADY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60/-60V; 4.3/-3.2A Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Technology: TrenchFET® On-state resistance: 150/72mΩ Type of transistor: N/P-MOSFET Power dissipation: 3.4/3.1W Polarisation: unipolar Drain current: 4.3/-3.2A Gate charge: 22/20nC Drain-source voltage: 60/-60V Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 2500 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
| Si4559ADY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60/-60V; 4.3/-3.2A Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Technology: TrenchFET® On-state resistance: 150/72mΩ Type of transistor: N/P-MOSFET Power dissipation: 3.4/3.1W Polarisation: unipolar Drain current: 4.3/-3.2A Gate charge: 22/20nC Drain-source voltage: 60/-60V Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V |
товар відсутній |