SI4435DY

SI4435DY onsemi


si4435dy-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1604 pF @ 15 V
на замовлення 37500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+27.91 грн
5000+ 25.6 грн
12500+ 24.42 грн
25000+ 22.87 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4435DY onsemi

Description: ONSEMI - SI4435DY - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.8 A, 0.015 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції SI4435DY за ціною від 24.82 грн до 115.11 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SI4435DY SI4435DY Виробник : ONSEMI SI4435DY-D.PDF Description: ONSEMI - SI4435DY - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.8 A, 0.015 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+43.44 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SI4435DY SI4435DY Виробник : ONSEMI 2284382.pdf Description: ONSEMI - SI4435DY - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.8 A, 0.015 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 12099 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+51.71 грн
500+ 41.13 грн
Мінімальне замовлення: 100
SI4435DY SI4435DY Виробник : onsemi / Fairchild SI4435DY_D-2320030.pdf MOSFETs 30V SinGLE P-Ch
на замовлення 11513 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+67.16 грн
10+ 51.97 грн
100+ 39.7 грн
500+ 34 грн
1000+ 27.74 грн
2500+ 26.07 грн
5000+ 24.82 грн
Мінімальне замовлення: 5
SI4435DY SI4435DY Виробник : onsemi si4435dy-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1604 pF @ 15 V
на замовлення 38149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+67.68 грн
10+ 53.16 грн
100+ 41.35 грн
500+ 32.89 грн
1000+ 26.79 грн
Мінімальне замовлення: 5
SI4435DY SI4435DY Виробник : ONSEMI 2284382.pdf Description: ONSEMI - SI4435DY - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.8 A, 0.015 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 12099 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+92.03 грн
11+ 72.06 грн
100+ 51.71 грн
500+ 41.13 грн
Мінімальне замовлення: 9
SI4435DY SI4435DY Виробник : ONSEMI SI4435DY.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -8.8A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8.8A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2088 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+95.93 грн
8+ 50.11 грн
24+ 36.21 грн
65+ 34.04 грн
500+ 33.75 грн
Мінімальне замовлення: 5
SI4435DY SI4435DY Виробник : ONSEMI SI4435DY.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -8.8A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8.8A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2088 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+115.11 грн
5+ 62.45 грн
24+ 43.45 грн
65+ 40.84 грн
500+ 40.5 грн
Мінімальне замовлення: 3
SI4435DY SI4435DY
Код товару: 45576
si4435dy-d.pdf si4435dypbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356847c882983 Транзистори > Польові P-канальні
товар відсутній
SI4435DY SI4435DY Виробник : ON Semiconductor si4435dy-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
SI4435DY SI4435DY Виробник : ON Semiconductor si4435dy-d.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
SI4435DY SI4435DY Виробник : Infineon Technologies si4435dypbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356847c882983 Description: MOSFET P-CH 30V 8A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2320 pF @ 15 V
товар відсутній