![SI4413ADY-T1-E3 SI4413ADY-T1-E3](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/e8a214efd5b674ddcd8a4a60c6e0007f2948c906/296-8-soic.jpg)
SI4413ADY-T1-E3 Vishay
![si4413ad.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
SI4413ADYT1E3 Vishay MOSFETs Transistor P-CH 30V 10.5A 8-Pin SOIC N T/R - Arrow.com
на замовлення 2324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 151.68 грн |
10+ | 127.46 грн |
25+ | 126.28 грн |
50+ | 120.73 грн |
100+ | 90.18 грн |
250+ | 85.47 грн |
500+ | 72.45 грн |
1000+ | 70.71 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI4413ADY-T1-E3 Vishay
Description: MOSFET P-CH 30V 10.5A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 13A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 5 V.
Інші пропозиції SI4413ADY-T1-E3 за ціною від 69.69 грн до 171.08 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SI4413ADY-T1-E3 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 2324 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SI4413ADY-T1-E3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 1799 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SI4413ADY-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 5 V |
на замовлення 2155 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SI4413ADY-T1-E3 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SI4413ADY-T1-E3 | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
SI4413ADY-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 5 V |
товар відсутній |