Технічний опис SI4401DY-T1-E3 VISHAY
Description: MOSFET P-CH 40V 8.7A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 10.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min), Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 5 V.
Інші пропозиції SI4401DY-T1-E3
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
SI4401DYT1E3 | Виробник : VISHAY |
на замовлення 40000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||
SI4401DY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
![]() |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
![]() |
SI4401DY-T1-E3 | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
SI4401DY-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 10.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min) Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 5 V |
товар відсутній |
|
![]() |
SI4401DY-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 10.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min) Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 5 V |
товар відсутній |
|
![]() |
SI4401DY-T1-E3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
![]() |
товар відсутній |