Продукція > VISHAY > SI4401DDY-T1-GE3

SI4401DDY-T1-GE3 Vishay

Name: SI4401DDY-T1-GE3
Brand: Vishay
SKU: 5715467-5
Price: 18.55 UAH
Availability: InStock

Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 16.1A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
2500+	19.41 грн
5000+	18.55 грн

Мінімальне замовлення: 2500

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SI4401DDY-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI4401DDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 16.1 A, 0.018 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 16.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 6.3W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).

Інші пропозиції SI4401DDY-T1-GE3 за ціною від 18.51 грн до 71.83 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна без ПДВ

SI4401DDY-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 40V 16.1A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
2500+	20.91 грн
5000+	19.99 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4401DDY-T1-GE3

Виробник : Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 40V 16.1A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3007 pF @ 20 V

на замовлення 18750 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
2500+	21.91 грн
5000+	19.99 грн
12500+	18.51 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4401DDY-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 40V 16.1A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
2500+	22.83 грн
5000+	21.42 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4401DDY-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 40V 16.1A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
2500+	26.45 грн
5000+	24.16 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4401DDY-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 40V 16.1A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 77500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
2500+	31.39 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4401DDY-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 40V 16.1A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
2500+	32.02 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4401DDY-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 40V 16.1A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
2500+	33.4 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4401DDY-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 40V 16.1A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 86 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
17+	36.6 грн
20+	31.17 грн
25+	30.89 грн
50+	21.25 грн

Мінімальне замовлення: 17

SI4401DDY-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 40V 16.1A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 212500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
2500+	38.46 грн
52500+	35.15 грн
105000+	32.7 грн
157500+	29.74 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4401DDY-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 40V 16.1A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 220000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
2500+	38.46 грн
55000+	35.15 грн
110000+	32.7 грн
165000+	29.74 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4401DDY-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 40V 16.1A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
2500+	40.15 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SI4401DDY-T1-GE3

Виробник : Vishay Semiconductors

MOSFETs -40V Vds 20V Vgs SO-8

на замовлення 23679 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
7+	53.53 грн
10+	42.69 грн
100+	27.6 грн
500+	24.19 грн
1000+	21.62 грн
2500+	19.33 грн
5000+	18.56 грн

Мінімальне замовлення: 7

SI4401DDY-T1-GE3

Виробник : VISHAY

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -16.1A; Idm: -50A; 4W; SO8
Case: SO8
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -16.1A
On-state resistance: 15mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 95nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -50A
Mounting: SMD

на замовлення 3386 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
8+	53.81 грн
10+	41.28 грн
43+	19.92 грн
116+	18.83 грн

Мінімальне замовлення: 8

SI4401DDY-T1-GE3

Виробник : Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 40V 16.1A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3007 pF @ 20 V

на замовлення 18795 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
6+	57.15 грн
10+	48.09 грн
100+	33.31 грн
500+	26.12 грн
1000+	22.23 грн

Мінімальне замовлення: 6

SI4401DDY-T1-GE3

Виробник : VISHAY

на замовлення 3386 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
5+	64.58 грн
10+	51.44 грн
43+	23.9 грн
116+	22.59 грн
5000+	21.73 грн

Мінімальне замовлення: 5

SI4401DDY-T1-GE3

Виробник : VISHAY

Description: VISHAY - SI4401DDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 16.1 A, 0.018 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.3W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 54740 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
11+	71.83 грн
16+	49.91 грн
100+	34.24 грн
500+	31 грн
1000+	27.94 грн
5000+	27.21 грн

Мінімальне замовлення: 11

SI4401DDY-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 40V 16.1A 8-Pin SOIC N T/R

на замовлення 86 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SI4401DDY-T1-GE3

Виробник : Siliconix

P-MOSFET 40V 16.1A 15mΩ 6.3W SI4401DDY-T1-GE3 Vishay TSI4401ddy
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 50 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
20+	43.62 грн

Мінімальне замовлення: 20

SI4401DDY-T1-GE3

на замовлення 330000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SI4401DDY-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET P-CH 40V 16.1A 8-Pin SOIC N T/R

товар відсутній