Продукція > VISHAY > SI4401BDY-T1-E3
SI4401BDY-T1-E3

SI4401BDY-T1-E3 Vishay

si4401bd.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 8.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+50.45 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4401BDY-T1-E3 Vishay

Description: MOSFET P-CH 40V 8.7A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 5 V.

Інші пропозиції SI4401BDY-T1-E3 за ціною від 54.94 грн до 130.85 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SI4401BDY-T1-E3 SI4401BDY-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si4401bd.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 8.7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 5 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+59.28 грн
5000+ 54.94 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SI4401BDY-T1-E3 SI4401BDY-T1-E3 Виробник : Vishay si4401bd.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 8.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+60.17 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SI4401BDY-T1-E3 SI4401BDY-T1-E3 Виробник : Vishay si4401bd.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 8.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+64.32 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SI4401BDY-T1-E3 SI4401BDY-T1-E3 Виробник : Vishay si4401bd.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 8.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2423 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
151+79.94 грн
Мінімальне замовлення: 151
SI4401BDY-T1-E3 SI4401BDY-T1-E3 Виробник : Vishay si4401bd.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 8.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2423 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+81.4 грн
10+ 77.43 грн
25+ 77.16 грн
100+ 73.7 грн
250+ 67.58 грн
500+ 64.25 грн
1000+ 63.63 грн
Мінімальне замовлення: 8
SI4401BDY-T1-E3 SI4401BDY-T1-E3 Виробник : VISHAY si4401bdy.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -8.3A; 2.9W; SO8
Case: SO8
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -8.3A
On-state resistance: 21mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.9W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 55nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
на замовлення 1117 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+84.73 грн
13+ 68.07 грн
34+ 64.45 грн
500+ 62.28 грн
Мінімальне замовлення: 5
SI4401BDY-T1-E3 SI4401BDY-T1-E3 Виробник : Vishay si4401bd.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 8.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+113 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SI4401BDY-T1-E3 SI4401BDY-T1-E3 Виробник : VISHAY si4401bdy.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -8.3A; 2.9W; SO8
Case: SO8
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -8.3A
On-state resistance: 21mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.9W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 55nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1117 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+115.11 грн
5+ 105.59 грн
13+ 81.69 грн
34+ 77.34 грн
500+ 74.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
SI4401BDY-T1-E3 SI4401BDY-T1-E3 Виробник : Vishay Semiconductors si4401bd.pdf MOSFETs 40V 10.5A 0.014Ohm
на замовлення 14258 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+126.53 грн
10+ 107.13 грн
100+ 78.56 грн
250+ 76.47 грн
500+ 67.92 грн
1000+ 61.46 грн
2500+ 59.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
SI4401BDY-T1-E3 SI4401BDY-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si4401bd.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 8.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 5 V
на замовлення 15293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+130.85 грн
10+ 105.15 грн
100+ 83.69 грн
500+ 66.46 грн
1000+ 56.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
SI4401BDYT1E3 Виробник : VISHAY
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SI4401BDY-T1-E3 SI4401BDY-T1-E3 Виробник : Vishay si4401bd.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 8.7A 8-Pin SOIC N T/R
товар відсутній