на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 18.04 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI3900DV-T1-E3 Vishay
Description: MOSFET 2N-CH 20V 2A 6TSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 830mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.4A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-TSOP.
Інші пропозиції SI3900DV-T1-E3 за ціною від 15.33 грн до 55.68 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI3900DV-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET 2N-CH 20V 2A 6TSOPPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 830mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.4A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SI3900DV-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 2A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 830mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.4A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP |
на замовлення 37114 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SI3900DV-T1-E3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET 20V N-CHANNEL (D-S) TRENCH DU |
на замовлення 133841 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SI3900DV-T1-E3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFET TSOP6 20V DUAL N-CH (D-S) TREN |
на замовлення 16616 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||||||||||
| SI3900DV-T1-E3 | Виробник : SI |
SOT23 |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
| SI3900DV-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
|
на замовлення 6765 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
| SI3900DV-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
0724+ |
на замовлення 5677 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
| SI3900DVT1E3 | Виробник : VISHAY | SMD |
на замовлення 2802000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
| SI3900DV-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 2.4A; Idm: 8A Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 20V Drain current: 2.4A On-state resistance: 0.2Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.15W Polarisation: unipolar Gate charge: 4nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 8A Mounting: SMD Case: TSOP6 кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||
| SI3900DV-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 2.4A; Idm: 8A Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 20V Drain current: 2.4A On-state resistance: 0.2Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.15W Polarisation: unipolar Gate charge: 4nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 8A Mounting: SMD Case: TSOP6 |
товар відсутній |