Si3900DV-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 2A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 830mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 26.87 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис Si3900DV-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 2A 6TSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 830mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.4A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-TSOP.
Інші пропозиції Si3900DV-T1-GE3 за ціною від 23.56 грн до 70.33 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
Si3900DV-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 2A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 830mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.4A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP |
на замовлення 7142 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
Si3900DV-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET 20V Vds 12V Vgs TSOP-6 |
на замовлення 71085 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| Si3900DV-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 2.4A; Idm: 8A Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 20V Drain current: 2.4A On-state resistance: 0.2Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.15W Polarisation: unipolar Gate charge: 4nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 8A Mounting: SMD Case: TSOP6 кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| Si3900DV-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 2.4A; Idm: 8A Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 20V Drain current: 2.4A On-state resistance: 0.2Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.15W Polarisation: unipolar Gate charge: 4nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 8A Mounting: SMD Case: TSOP6 |
товар відсутній |