Технічний опис SI3851DV-T1-E3 VISHAY
Description: MOSFET P-CH 30V 1.6A 6TSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.8A, 10V, FET Feature: Schottky Diode (Isolated), Power Dissipation (Max): 830mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min), Supplier Device Package: 6-TSOP, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 5 V.
Інші пропозиції SI3851DV-T1-E3
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
SI3851DV-T1-E3 | Виробник : VISHAY | 09+ |
на замовлення 3008 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
![]() |
SI3851DV-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 1.6A 6TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.8A, 10V FET Feature: Schottky Diode (Isolated) Power Dissipation (Max): 830mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min) Supplier Device Package: 6-TSOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 5 V |
товар відсутній |
|
![]() |
SI3851DV-T1-E3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
![]() |
товар відсутній |