SI3585CDV-T1-GE3

SI3585CDV-T1-GE3 Vishay Siliconix


si3585cd.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 20V 3.9A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W, 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A, 2.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 2.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
на замовлення 11515 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+12.44 грн
6000+ 11.37 грн
9000+ 10.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI3585CDV-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI3585CDV-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.9 A, 3.9 A, 0.048 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.9A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.9A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.048ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.048ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції SI3585CDV-T1-GE3 за ціною від 10.19 грн до 37.53 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SI3585CDV-T1-GE3 SI3585CDV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3585cd.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 3.5A/1.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+12.87 грн
9000+ 12.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI3585CDV-T1-GE3 SI3585CDV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3585cd.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 3.5A/1.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+12.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI3585CDV-T1-GE3 SI3585CDV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3585cd.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 3.5A/1.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+13.11 грн
9000+ 12.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI3585CDV-T1-GE3 SI3585CDV-T1-GE3 Виробник : VISHAY 2046251.pdf Description: VISHAY - SI3585CDV-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.9 A, 3.9 A, 0.048 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.048ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.048ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+17.75 грн
9000+ 15.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI3585CDV-T1-GE3 SI3585CDV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3585cd.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 3.5A/1.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
620+19.51 грн
623+ 19.41 грн
755+ 16.02 грн
1000+ 13.17 грн
Мінімальне замовлення: 620
SI3585CDV-T1-GE3 SI3585CDV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3585cd.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 3.5A/1.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
29+20.7 грн
32+ 19.11 грн
100+ 15.93 грн
250+ 14.67 грн
500+ 12.66 грн
1000+ 10.85 грн
3000+ 10.19 грн
Мінімальне замовлення: 29
SI3585CDV-T1-GE3 SI3585CDV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3585cd.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 3.5A/1.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
562+21.52 грн
Мінімальне замовлення: 562
SI3585CDV-T1-GE3 SI3585CDV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3585cd.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 3.5A/1.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+22.03 грн
6000+ 20.13 грн
12000+ 18.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI3585CDV-T1-GE3 SI3585CDV-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0001142585-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI3585CDV-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.9 A, 3.9 A, 0.048 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.9A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.048ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.048ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 13685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+24.31 грн
500+ 19.75 грн
1500+ 15.55 грн
Мінімальне замовлення: 100
SI3585CDV-T1-GE3 SI3585CDV-T1-GE3 Виробник : VISHAY si3585cd.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 3.1/-1.7A; 0.9/8W
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 3.1/-1.7A
On-state resistance: 78/316mΩ
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 0.9/8W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 4.8/9nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Case: TSOP6
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+31.27 грн
16+ 24.1 грн
25+ 21.49 грн
65+ 12.99 грн
178+ 12.27 грн
1000+ 12.12 грн
Мінімальне замовлення: 13
SI3585CDV-T1-GE3 SI3585CDV-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si3585cd.pdf MOSFETs -20V Vds 12V Vgs TSOP-6 N&P PAIR
на замовлення 96562 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+34.07 грн
12+ 28.21 грн
100+ 17.63 грн
500+ 14.84 грн
1000+ 12.96 грн
3000+ 10.94 грн
Мінімальне замовлення: 10
SI3585CDV-T1-GE3 SI3585CDV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3585cd.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 3.5A/1.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
341+35.45 грн
466+ 25.97 грн
565+ 21.39 грн
1000+ 15.97 грн
3000+ 12.89 грн
Мінімальне замовлення: 341
SI3585CDV-T1-GE3 SI3585CDV-T1-GE3 Виробник : VISHAY 1865460.pdf Description: VISHAY - SI3585CDV-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.9 A, 3.9 A, 0.048 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.048ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.048ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 13680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
22+36.04 грн
50+ 30.18 грн
100+ 24.31 грн
500+ 19.75 грн
1500+ 15.55 грн
Мінімальне замовлення: 22
SI3585CDV-T1-GE3 SI3585CDV-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si3585cd.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 3.9A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W, 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A, 2.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 2.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
на замовлення 11515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+36.94 грн
10+ 30.34 грн
100+ 21.13 грн
500+ 15.48 грн
1000+ 12.58 грн
Мінімальне замовлення: 9
SI3585CDV-T1-GE3 SI3585CDV-T1-GE3 Виробник : VISHAY si3585cd.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 3.1/-1.7A; 0.9/8W
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 3.1/-1.7A
On-state resistance: 78/316mΩ
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 0.9/8W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 4.8/9nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Case: TSOP6
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+37.53 грн
10+ 30.03 грн
25+ 25.79 грн
65+ 15.59 грн
178+ 14.72 грн
1000+ 14.55 грн
3000+ 14.2 грн
Мінімальне замовлення: 8