SI3499DV-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 8V 5.3A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 28.55 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI3499DV-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 8V 5.3A 6TSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 250µA, Supplier Device Package: 6-TSOP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±5V, Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V.
Інші пропозиції SI3499DV-T1-GE3 за ціною від 24.02 грн до 69.09 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI3499DV-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 8V 5.3A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 2444 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SI3499DV-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 8V 5.3A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 2496 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SI3499DV-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 8V 5.3A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 2496 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
SI3499DV-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET 8.0V 7.0A 2.0W 23mohm @ 4.5V |
на замовлення 7961 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SI3499DV-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 8V 5.3A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±5V Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V |
на замовлення 6385 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| SI3499DV-T1-GE3 |
|
на замовлення 33000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||
 |
SI3499DV-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 8V 5.3A 6-Pin TSOP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
| SI3499DV-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -8V; -7A; Idm: -20A; 2W Mounting: SMD Case: TSOP6 Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Gate charge: 42nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±5V Pulsed drain current: -20A Power dissipation: 2W Drain-source voltage: -8V Drain current: -7A On-state resistance: 48mΩ Type of transistor: P-MOSFET кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
| SI3499DV-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -8V; -7A; Idm: -20A; 2W Mounting: SMD Case: TSOP6 Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Gate charge: 42nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±5V Pulsed drain current: -20A Power dissipation: 2W Drain-source voltage: -8V Drain current: -7A On-state resistance: 48mΩ Type of transistor: P-MOSFET |
товар відсутній |