на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6000+ | 8.06 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI3473DDV-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI3473DDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 8 A, 0.0145 ohm, TSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 12V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.6W, Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen III, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції SI3473DDV-T1-GE3 за ціною від 7.29 грн до 42.59 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI3473DDV-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET P-CH 12V 8A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SI3473DDV-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 12V 8A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
SI3473DDV-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI3473DDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 8 A, 0.0145 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.6W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen III productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 51315 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SI3473DDV-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 12V 8A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SI3473DDV-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 12V 8A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
SI3473DDV-T1-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs -12V Vds 8V Vgs TSOP-6 |
на замовлення 8961 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SI3473DDV-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI3473DDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 8 A, 0.0145 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.6W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen III productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 51315 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
SI3473DDV-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CHANNEL 12V 8A 6TSOP |
на замовлення 2258 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
|
|
SI3473DDV-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 12V 8A 6-Pin TSOP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
|
|
SI3473DDV-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 12V 8A 6-Pin TSOP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
| SI3473DDV-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -12V; -8A; Idm: -30A Mounting: SMD Case: TSOP6 Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Kind of package: reel; tape On-state resistance: 38.8mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 3.6W Polarisation: unipolar Gate charge: 57nC Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: -30A Drain-source voltage: -12V Drain current: -8A кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
|
|
SI3473DDV-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CHANNEL 12V 8A 6TSOP |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
| SI3473DDV-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -12V; -8A; Idm: -30A Mounting: SMD Case: TSOP6 Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Kind of package: reel; tape On-state resistance: 38.8mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 3.6W Polarisation: unipolar Gate charge: 57nC Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: -30A Drain-source voltage: -12V Drain current: -8A |
товар відсутній |