Продукція > VISHAY > SI3473CDV-T1-GE3
SI3473CDV-T1-GE3

SI3473CDV-T1-GE3 Vishay

si3473cd.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 12V 8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+14.8 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI3473CDV-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI3473CDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 8 A, 0.016 ohm, TSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 12V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 4.2W, Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції SI3473CDV-T1-GE3 за ціною від 15.9 грн до 51.6 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SI3473CDV-T1-GE3 SI3473CDV-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si3473cd.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010 pF @ 6 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+18.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI3473CDV-T1-GE3 SI3473CDV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3473cd.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+19.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI3473CDV-T1-GE3 SI3473CDV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3473cd.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+19.92 грн
6000+ 18.5 грн
9000+ 17.9 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI3473CDV-T1-GE3 SI3473CDV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3473cd.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+21.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI3473CDV-T1-GE3 SI3473CDV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3473cd.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+21.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI3473CDV-T1-GE3 SI3473CDV-T1-GE3 Виробник : VISHAY si3473cd.pdf Description: VISHAY - SI3473CDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 8 A, 0.016 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.2W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+21.5 грн
9000+ 18.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI3473CDV-T1-GE3 SI3473CDV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3473cd.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 11895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
440+27.49 грн
460+ 26.29 грн
462+ 26.18 грн
518+ 22.53 грн
1000+ 20.14 грн
2000+ 19.16 грн
3000+ 18.56 грн
6000+ 17.95 грн
Мінімальне замовлення: 440
SI3473CDV-T1-GE3 SI3473CDV-T1-GE3 Виробник : VISHAY si3473cd.pdf Description: VISHAY - SI3473CDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 8 A, 0.016 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.2W
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 57379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+31.04 грн
500+ 20.54 грн
1500+ 18.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
SI3473CDV-T1-GE3 SI3473CDV-T1-GE3 Виробник : VISHAY si3473cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -12V; -8A; Idm: -20A
Power dissipation: 4.2W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: TSOP6
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -8A
On-state resistance: 36mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 65nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -20A
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+43 грн
11+ 35.86 грн
25+ 31.87 грн
50+ 17.13 грн
135+ 16.19 грн
3000+ 15.9 грн
Мінімальне замовлення: 10
SI3473CDV-T1-GE3 SI3473CDV-T1-GE3 Виробник : VISHAY si3473cd.pdf Description: VISHAY - SI3473CDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 8 A, 0.016 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.2W
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 57379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
17+46.83 грн
50+ 38.93 грн
100+ 31.04 грн
500+ 20.54 грн
1500+ 18.56 грн
Мінімальне замовлення: 17
SI3473CDV-T1-GE3 SI3473CDV-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si3473cd.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010 pF @ 6 V
на замовлення 6695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+47.49 грн
10+ 39.64 грн
100+ 27.41 грн
500+ 21.5 грн
1000+ 18.3 грн
Мінімальне замовлення: 7
SI3473CDV-T1-GE3 SI3473CDV-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si3473cd.pdf MOSFET -12V Vds 8V Vgs TSOP-6
на замовлення 20779 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+51.39 грн
10+ 41.68 грн
100+ 26.48 грн
500+ 22.16 грн
1000+ 21.46 грн
6000+ 21.05 грн
Мінімальне замовлення: 7
SI3473CDV-T1-GE3 SI3473CDV-T1-GE3 Виробник : VISHAY si3473cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -12V; -8A; Idm: -20A
Power dissipation: 4.2W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: TSOP6
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -8A
On-state resistance: 36mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 65nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -20A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+51.6 грн
10+ 44.69 грн
25+ 38.24 грн
50+ 20.56 грн
135+ 19.43 грн
3000+ 19.08 грн
9000+ 18.73 грн
Мінімальне замовлення: 6
SI3473CDV-T1-GE3 si3473cd.pdf
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SI3473CDV-T1-GE3 SI3473CDV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3473cd.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 8A 6-Pin TSOP T/R
товар відсутній