SI3464DV-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1065 pF @ 10 V
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 41.46 грн |
| 10+ | 34.19 грн |
| 100+ | 23.76 грн |
| 500+ | 17.41 грн |
| 1000+ | 14.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI3464DV-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 8A 6TSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.6W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-TSOP, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1065 pF @ 10 V.
Інші пропозиції SI3464DV-T1-GE3 за ціною від 22.79 грн до 52.85 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI3464DV-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET 20V Vds 8V Vgs TSOP-6 |
на замовлення 5992 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
| SI3464DV-T1-GE3 |
|
на замовлення 33000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||
 |
SI3464DV-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 8A 6-Pin TSOP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||
| SI3464DV-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
SI3464DV-T1-GE3 SMD N channel transistors |
товар відсутній |
||||||||||||
|
|
SI3464DV-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 20V 8A 6TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1065 pF @ 10 V |
товар відсутній |