Продукція > VISHAY > SI3460DDV-T1-GE3
SI3460DDV-T1-GE3

SI3460DDV-T1-GE3 Vishay

si3460dd.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+6.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI3460DDV-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI3460DDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7.9 A, 0.023 ohm, TSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.7W, Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції SI3460DDV-T1-GE3 за ціною від 6.17 грн до 30.88 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SI3460DDV-T1-GE3 SI3460DDV-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si3460ddv.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 7.9A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 666 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+9.4 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI3460DDV-T1-GE3 SI3460DDV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3460ddv.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+9.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI3460DDV-T1-GE3 SI3460DDV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3460ddv.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+13.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI3460DDV-T1-GE3 SI3460DDV-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0001142632-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI3460DDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7.9 A, 0.023 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+19.58 грн
500+ 11.51 грн
1500+ 10.36 грн
Мінімальне замовлення: 100
SI3460DDV-T1-GE3 SI3460DDV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3460ddv.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 2438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
527+22.9 грн
717+ 16.82 грн
725+ 16.64 грн
894+ 13.01 грн
1557+ 6.92 грн
Мінімальне замовлення: 527
SI3460DDV-T1-GE3 SI3460DDV-T1-GE3 Виробник : VISHAY si3460ddv.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 7.9A; Idm: 20A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 7.9A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 1.7W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16+25.74 грн
50+ 17.02 грн
100+ 14.7 грн
104+ 8.26 грн
284+ 7.82 грн
Мінімальне замовлення: 16
SI3460DDV-T1-GE3 SI3460DDV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3460ddv.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 2438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
23+26.87 грн
27+ 22.4 грн
29+ 21.27 грн
100+ 15.06 грн
250+ 13.8 грн
500+ 10.74 грн
1000+ 6.17 грн
Мінімальне замовлення: 23
SI3460DDV-T1-GE3 SI3460DDV-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si3460ddv.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 7.9A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 666 pF @ 10 V
на замовлення 3601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+27.83 грн
13+ 22.96 грн
100+ 15.95 грн
500+ 11.69 грн
1000+ 9.51 грн
Мінімальне замовлення: 11
SI3460DDV-T1-GE3 SI3460DDV-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si3460ddv.pdf MOSFETs 20V Vds 8V Vgs TSOP-6
на замовлення 5772 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+30.17 грн
13+ 24.78 грн
100+ 15.29 грн
500+ 11.96 грн
1000+ 9.45 грн
3000+ 7.72 грн
9000+ 7.58 грн
Мінімальне замовлення: 11
SI3460DDV-T1-GE3 SI3460DDV-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0001142632-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI3460DDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7.9 A, 0.023 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
26+30.73 грн
50+ 25.19 грн
100+ 19.58 грн
500+ 11.51 грн
1500+ 10.36 грн
Мінімальне замовлення: 26
SI3460DDV-T1-GE3 SI3460DDV-T1-GE3 Виробник : VISHAY si3460ddv.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 7.9A; Idm: 20A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 7.9A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 1.7W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+30.88 грн
50+ 21.21 грн
100+ 17.64 грн
104+ 9.91 грн
284+ 9.39 грн
6000+ 8.95 грн
Мінімальне замовлення: 10
SI3460DDV-T1-GE3 SI3460DDV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3460ddv.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-Pin TSOP T/R
товар відсутній