Продукція > VISHAY SILICONIX > SI3460DDV-T1-BE3
SI3460DDV-T1-BE3

SI3460DDV-T1-BE3 Vishay Siliconix

si3460ddv.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta), 7.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 666 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+6.5 грн
6000+ 6.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI3460DDV-T1-BE3 Vishay Siliconix

Description: N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta), 7.9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5.1A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 2.7W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-TSOP, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 8 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 666 pF @ 10 V.

Інші пропозиції SI3460DDV-T1-BE3 за ціною від 6.56 грн до 30.5 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SI3460DDV-T1-BE3 SI3460DDV-T1-BE3 Виробник : Vishay Siliconix si3460ddv.pdf Description: N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta), 7.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 666 pF @ 10 V
на замовлення 8879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+29.65 грн
15+ 20.13 грн
100+ 10.15 грн
500+ 8.43 грн
1000+ 6.56 грн
Мінімальне замовлення: 11
SI3460DDV-T1-BE3 SI3460DDV-T1-BE3 Виробник : Vishay / Siliconix si3460ddv.pdf MOSFETs N-CHANNEL 20-V (D-S)
на замовлення 83505 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+30.5 грн
15+ 22.47 грн
100+ 9.84 грн
500+ 8.79 грн
1000+ 7.66 грн
Мінімальне замовлення: 11
SI3460DDV-T1-BE3 SI3460DDV-T1-BE3 Виробник : Vishay si3460ddv.pdf N-Channel MOSFET
товар відсутній
SI3460DDV-T1-BE3 Виробник : Vishay nods.pdf N-Channel MOSFET
товар відсутній