Продукція > VISHAY > SI3457CDV-T1-GE3
SI3457CDV-T1-GE3

SI3457CDV-T1-GE3 Vishay

si3457cdv.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 4.1A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+8.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI3457CDV-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI3457CDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5.1 A, 0.06 ohm, TSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції SI3457CDV-T1-GE3 за ціною від 9.29 грн до 51.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SI3457CDV-T1-GE3 SI3457CDV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3457cdv.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 5.1A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+11.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI3457CDV-T1-GE3 SI3457CDV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3457cdv.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 5.1A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+11.1 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI3457CDV-T1-GE3 SI3457CDV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3457cdv.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 5.1A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+11.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI3457CDV-T1-GE3 SI3457CDV-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si3457cdv.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 5.1A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 15 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+12.11 грн
6000+ 10.79 грн
9000+ 10.34 грн
15000+ 9.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI3457CDV-T1-GE3 SI3457CDV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3457cdv.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 5.1A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+12.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI3457CDV-T1-GE3 SI3457CDV-T1-GE3 Виробник : VISHAY 2045879.pdf Description: VISHAY - SI3457CDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5.1 A, 0.074 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.074ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+12.5 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI3457CDV-T1-GE3 SI3457CDV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3457cdv.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 5.1A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+16.7 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI3457CDV-T1-GE3 SI3457CDV-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISHS99238-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI3457CDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5.1 A, 0.06 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 8199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+22.77 грн
500+ 13.46 грн
1500+ 12.15 грн
Мінімальне замовлення: 100
SI3457CDV-T1-GE3 SI3457CDV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3457cdv.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 5.1A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 2683 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
381+31.95 грн
530+ 23 грн
534+ 22.8 грн
664+ 17.68 грн
1000+ 13.61 грн
Мінімальне замовлення: 381
SI3457CDV-T1-GE3 SI3457CDV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3457cdv.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 5.1A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 2683 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
18+34.05 грн
21+ 29.92 грн
25+ 29.67 грн
100+ 20.6 грн
250+ 18.9 грн
500+ 14.6 грн
1000+ 12.14 грн
Мінімальне замовлення: 18
SI3457CDV-T1-GE3 SI3457CDV-T1-GE3 Виробник : VISHAY SI3457CDV.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4.1A; 2W; TSOP6
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 5.1nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: TSOP6
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.1A
On-state resistance: 74mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
на замовлення 1916 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+35.83 грн
50+ 23.36 грн
74+ 11.65 грн
204+ 11.02 грн
Мінімальне замовлення: 12
SI3457CDV-T1-GE3 SI3457CDV-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISHS99238-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI3457CDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5.1 A, 0.06 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 8199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
22+36.54 грн
50+ 29.7 грн
100+ 22.77 грн
500+ 13.46 грн
1500+ 12.15 грн
Мінімальне замовлення: 22
SI3457CDV-T1-GE3 SI3457CDV-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si3457cdv.pdf MOSFET -30V Vds 20V Vgs TSOP-6
на замовлення 19594 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+40.08 грн
10+ 33.63 грн
100+ 20.3 грн
500+ 15.9 грн
1000+ 12.92 грн
3000+ 11.99 грн
Мінімальне замовлення: 9
SI3457CDV-T1-GE3 SI3457CDV-T1-GE3 Виробник : VISHAY SI3457CDV.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4.1A; 2W; TSOP6
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 5.1nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: TSOP6
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.1A
On-state resistance: 74mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1916 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+42.99 грн
50+ 29.11 грн
74+ 13.98 грн
204+ 13.22 грн
6000+ 12.69 грн
Мінімальне замовлення: 7
SI3457CDV-T1-GE3 SI3457CDV-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si3457cdv.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 5.1A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 15 V
на замовлення 30230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+42.99 грн
11+ 27.43 грн
100+ 18.7 грн
500+ 13.79 грн
1000+ 12.54 грн
Мінімальне замовлення: 8
SI3457CDV-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si3457cdv.pdf P-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 5,1 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 450 @ 15; Qg, нКл = 15 @ 10 В; Rds = 74 мОм @ 4,1 A, 10 В; Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; TSOP-6
на замовлення 17 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+51.17 грн
14+ 47.75 грн
100+ 44.35 грн
Мінімальне замовлення: 13