![SI3456DDV-T1-E3 SI3456DDV-T1-E3](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/3762/742~5540~DV,-EV~6.jpg)
SI3456DDV-T1-E3 Vishay Siliconix
![si3456ddv.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET N-CH 30V 6.3A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 15 V
на замовлення 2040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
11+ | 28.65 грн |
14+ | 21.34 грн |
100+ | 12.8 грн |
500+ | 11.12 грн |
1000+ | 7.56 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI3456DDV-T1-E3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 6.3A 6TSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 2.7W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-TSOP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 15 V.
Інші пропозиції SI3456DDV-T1-E3 за ціною від 6.06 грн до 30.98 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SI3456DDV-T1-E3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 5168 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
SI3456DDV-T1-E3 |
![]() |
на замовлення 33000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
![]() |
SI3456DDV-T1-E3 Код товару: 111058 |
![]() |
товар відсутній
|
||||||||||||||||||
![]() |
SI3456DDV-T1-E3 | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
SI3456DDV-T1-E3 | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
SI3456DDV-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 6.3A; Idm: 20A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 6.3A Pulsed drain current: 20A Power dissipation: 2.7W Case: TSOP6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 50mΩ Mounting: SMD Gate charge: 9nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
![]() |
SI3456DDV-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 2.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 15 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
SI3456DDV-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 6.3A; Idm: 20A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 6.3A Pulsed drain current: 20A Power dissipation: 2.7W Case: TSOP6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 50mΩ Mounting: SMD Gate charge: 9nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |