![SI3447DV SI3447DV](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/5447/MFG_ONSONSMC74VHC1GT50DBVT1G.jpg)
SI3447DV Fairchild Semiconductor
![FAIRS43891-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw](/images/adobe-acrobat.png)
Description: P-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1926 pF @ 10 V
на замовлення 3999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1902+ | 11.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI3447DV Fairchild Semiconductor
Description: P-CHANNEL MOSFET, Packaging: Bulk, Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5.5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SuperSOT™-6, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1926 pF @ 10 V.
Інші пропозиції SI3447DV
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
SI3447DV | Виробник : VIAHAY |
![]() |
на замовлення 1130 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
SI3447DV | Виробник : VISHAY |
![]() |
на замовлення 9200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |