Продукція > IR > SI3443DVTR

SI3443DVTR IR


Si3443DV.pdf Виробник: IR

на замовлення 150 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI3443DVTR IR

Description: MOSFET P-CH 20V 4.4A 6-TSOP, Packaging: Cut Tape (CT), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4.4A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6), Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1079 pF @ 10 V.

Інші пропозиції SI3443DVTR

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SI3443DVTR SI3443DVTR Виробник : Infineon Technologies Si3443DV.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 4.4A 6-TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4.4A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1079 pF @ 10 V
товар відсутній