![SI3443DDV-T1-GE3 SI3443DDV-T1-GE3](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2017/3/1/5/13/35/464/vsh_/manual/62946-pt-medium.jpg)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 5.59 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI3443DDV-T1-GE3 Vishay
Description: MOSFET P-CH 20V 4A/5.3A 6TSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 5.3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 4.5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 2.7W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-TSOP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 8 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970 pF @ 10 V.
Інші пропозиції SI3443DDV-T1-GE3 за ціною від 5.51 грн до 34.16 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SI3443DDV-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 5.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 4.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 2.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970 pF @ 10 V |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SI3443DDV-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.7W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 17870 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SI3443DDV-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 5.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 4.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 2.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970 pF @ 10 V |
на замовлення 7039 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SI3443DDV-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 98595 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SI3443DDV-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.7W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 17870 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SI3443DDV-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
SI3443DDV-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4A; 1.7W; TSOP6 Mounting: SMD Drain-source voltage: -20V Drain current: -4A On-state resistance: 47mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1.7W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 9nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Case: TSOP6 кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
SI3443DDV-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4A; 1.7W; TSOP6 Mounting: SMD Drain-source voltage: -20V Drain current: -4A On-state resistance: 47mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1.7W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 9nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Case: TSOP6 |
товар відсутній |