SI3443CDV-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 5.97A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 10 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 12.59 грн |
| 6000+ | 11.51 грн |
| 9000+ | 10.68 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI3443CDV-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI3443CDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.97 A, 0.05 ohm, TSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.97A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.2W, Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції SI3443CDV-T1-GE3 за ціною від 11.88 грн до 37.62 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI3443CDV-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 4.7A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 749 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI3443CDV-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI3443CDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.97 A, 0.05 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.97A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV euEccn: NLR Verlustleistung: 3.2W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 13349 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI3443CDV-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs -20V Vds 12V Vgs TSOP-6 |
на замовлення 78898 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI3443CDV-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI3443CDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.97 A, 0.05 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.97A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV euEccn: NLR Verlustleistung: 3.2W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 13349 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI3443CDV-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 5.97A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.97A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.7A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 10 V |
на замовлення 25161 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI3443CDV-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 4.7A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
|
|
SI3443CDV-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 4.7A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 73 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
|
SI3443CDV-T1-GE3 Код товару: 160116 |
Транзистори > Польові P-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
|
|
SI3443CDV-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 4.7A 6-Pin TSOP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
SI3443CDV-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 4.7A 6-Pin TSOP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
| SI3443CDV-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.6A; 2.05W; TSOP6 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -4.6A Power dissipation: 2.05W Case: TSOP6 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 60mΩ Mounting: SMD Gate charge: 7.53nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
| SI3443CDV-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.6A; 2.05W; TSOP6 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -4.6A Power dissipation: 2.05W Case: TSOP6 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 60mΩ Mounting: SMD Gate charge: 7.53nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |