SI3442BDV-T1-E3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 3A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295 pF @ 10 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 12.97 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI3442BDV-T1-E3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 3A 6TSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 4A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 860mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-TSOP, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295 pF @ 10 V.
Інші пропозиції SI3442BDV-T1-E3 за ціною від 11.72 грн до 42.99 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SI3442BDV-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 20V 3A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 860mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295 pF @ 10 V |
на замовлення 24761 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI3442BDV-T1-E3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET 20V 3A |
на замовлення 67926 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SI3442BDV-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
|
на замовлення 9200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| SI3442BDV-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
09+ |
на замовлення 3018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| SI3442BDV-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
SOT163 |
на замовлення 18610 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| SI3442BDV-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 4.2A; Idm: 20A Technology: TrenchFET® Mounting: SMD Case: TSOP6 Kind of package: reel; tape Drain current: 4.2A On-state resistance: 90mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.67W Polarisation: unipolar Gate charge: 5nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 20A Drain-source voltage: 20V кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| SI3442BDV-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 4.2A; Idm: 20A Technology: TrenchFET® Mounting: SMD Case: TSOP6 Kind of package: reel; tape Drain current: 4.2A On-state resistance: 90mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.67W Polarisation: unipolar Gate charge: 5nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 20A Drain-source voltage: 20V |
товар відсутній |