Продукція > VISHAY > SI3440ADV-T1-GE3
SI3440ADV-T1-GE3

SI3440ADV-T1-GE3 Vishay

si3440adv.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 150V 2.2A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6000+7.82 грн
Мінімальне замовлення: 6000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI3440ADV-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI3440ADV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 2.2 A, 0.316 ohm, TSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.6W, Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: ThunderFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.316ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції SI3440ADV-T1-GE3 за ціною від 7.11 грн до 39.09 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SI3440ADV-T1-GE3 SI3440ADV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3440adv.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 2.2A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6000+8.17 грн
Мінімальне замовлення: 6000
SI3440ADV-T1-GE3 SI3440ADV-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si3440adv.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 2.2A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 75 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+8.78 грн
6000+ 8.1 грн
9000+ 7.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI3440ADV-T1-GE3 SI3440ADV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3440adv.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 2.2A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+8.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI3440ADV-T1-GE3 SI3440ADV-T1-GE3 Виробник : VISHAY 2687465.pdf Description: VISHAY - SI3440ADV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 2.2 A, 0.316 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.6W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.316ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 41334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+14.79 грн
500+ 10.94 грн
1000+ 7.52 грн
5000+ 7.11 грн
Мінімальне замовлення: 100
SI3440ADV-T1-GE3 SI3440ADV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3440adv.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 2.2A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
444+27.71 грн
735+ 16.74 грн
772+ 15.93 грн
1203+ 9.85 грн
3000+ 8.17 грн
Мінімальне замовлення: 444
SI3440ADV-T1-GE3 SI3440ADV-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si3440adv.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 2.2A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 75 V
на замовлення 16935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+32.13 грн
13+ 24.3 грн
100+ 14.58 грн
500+ 12.67 грн
1000+ 8.61 грн
Мінімальне замовлення: 10
SI3440ADV-T1-GE3 SI3440ADV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3440adv.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 2.2A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
19+33.31 грн
24+ 26 грн
100+ 14.79 грн
1000+ 9.7 грн
3000+ 7.93 грн
Мінімальне замовлення: 19
SI3440ADV-T1-GE3 SI3440ADV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3440adv.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 2.2A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
18+34.58 грн
25+ 34.45 грн
100+ 33.09 грн
250+ 30.52 грн
500+ 29.18 грн
1000+ 29.07 грн
3000+ 28.95 грн
6000+ 28.84 грн
Мінімальне замовлення: 18
SI3440ADV-T1-GE3 SI3440ADV-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si3440adv.pdf MOSFET 150V Vds 20V Vgs TSOP-6
на замовлення 80742 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+36.18 грн
12+ 28.25 грн
100+ 15.79 грн
1000+ 10.87 грн
3000+ 8.84 грн
9000+ 8.62 грн
Мінімальне замовлення: 10
SI3440ADV-T1-GE3 SI3440ADV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3440adv.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 2.2A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
335+36.79 грн
336+ 36.65 грн
337+ 36.51 грн
500+ 35.06 грн
1000+ 32.34 грн
3000+ 30.92 грн
6000+ 30.79 грн
Мінімальне замовлення: 335
SI3440ADV-T1-GE3 SI3440ADV-T1-GE3 Виробник : VISHAY 2687465.pdf Description: VISHAY - SI3440ADV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 2.2 A, 0.316 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.6W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.316ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 41334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
21+39.09 грн
28+ 29.75 грн
100+ 14.79 грн
500+ 10.94 грн
1000+ 7.52 грн
5000+ 7.11 грн
Мінімальне замовлення: 21
SI3440ADV-T1-GE3
Код товару: 171852 		si3440adv.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
SI3440ADV-T1-GE3 SI3440ADV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3440adv.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 2.2A 6-Pin TSOP T/R
товар відсутній
SI3440ADV-T1-GE3 Виробник : VISHAY si3440adv.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 2.2A; Idm: 4A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 2.2A
Pulsed drain current: 4A
Power dissipation: 3.6W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 432mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SI3440ADV-T1-GE3 Виробник : VISHAY si3440adv.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 2.2A; Idm: 4A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 2.2A
Pulsed drain current: 4A
Power dissipation: 3.6W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 432mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній