Продукція > VISHAY SILICONIX > SI3440ADV-T1-BE3
SI3440ADV-T1-BE3

SI3440ADV-T1-BE3 Vishay Siliconix

si3440adv.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta), 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 75 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+8.3 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI3440ADV-T1-BE3 Vishay Siliconix

Description: N-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta), 2.2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 1.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.6W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-TSOP, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 75 V.

Інші пропозиції SI3440ADV-T1-BE3 за ціною від 6.67 грн до 44.63 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SI3440ADV-T1-BE3 SI3440ADV-T1-BE3 Виробник : Vishay Siliconix si3440adv.pdf Description: N-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta), 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 75 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+29.94 грн
Мінімальне замовлення: 11
SI3440ADV-T1-BE3 SI3440ADV-T1-BE3 Виробник : Vishay / Siliconix si3440adv.pdf MOSFETs TSOP6 150V 2.2A N-CH MOSFET
на замовлення 38862 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+44.63 грн
10+ 38.52 грн
100+ 23.99 грн
1000+ 13.48 грн
3000+ 7.66 грн
9000+ 6.96 грн
45000+ 6.67 грн
Мінімальне замовлення: 8
SI3440ADV-T1-BE3 Виробник : Vishay si3440adv.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 2.2A 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
SI3440ADV-T1-BE3 Виробник : Vishay si3440adv.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 2.2A 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності