SI3439KDWA-TP Micro Commercial Components
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 5.19 грн |
| 6000+ | 5.14 грн |
| 9000+ | 4.79 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI3439KDWA-TP Micro Commercial Components
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.75A SOT363, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 150mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA, 600mA, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33pF @ 16V, 40pF @ 16V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 500mA, 4.5V, 850mOhm @ 500mA, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8nC @ 4.5V, 0.86nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-363, Part Status: Active.
Інші пропозиції SI3439KDWA-TP за ціною від 4.13 грн до 28.65 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SI3439KDWA-TP | Виробник : Micro Commercial Components |
 Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.75A/0.6A 6-Pin SOT-363 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI3439KDWA-TP | Виробник : Micro Commercial Components |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.75A/0.6A 6-Pin SOT-363 T/R |
на замовлення 84000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI3439KDWA-TP | Виробник : Micro Commercial Components |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.75A/0.6A 6-Pin SOT-363 T/R |
на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI3439KDWA-TP | Виробник : Micro Commercial Co |
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.75A SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 150mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA, 600mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33pF @ 16V, 40pF @ 16V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 500mA, 4.5V, 850mOhm @ 500mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8nC @ 4.5V, 0.86nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 Part Status: Active |
на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI3439KDWA-TP | Виробник : MICRO COMMERCIAL COMPONENTS |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 0.75/-0.6A; Idm: 3A Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 20/-20V Drain current: 0.75/-0.6A On-state resistance: 0.7Ω Type of transistor: N/P-MOSFET Power dissipation: 0.15W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: ESD protected gate Gate charge: 0.8nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 3A Mounting: SMD Case: SOT363 |
на замовлення 2960 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI3439KDWA-TP | Виробник : MICRO COMMERCIAL COMPONENTS |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 0.75/-0.6A; Idm: 3A Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 20/-20V Drain current: 0.75/-0.6A On-state resistance: 0.7Ω Type of transistor: N/P-MOSFET Power dissipation: 0.15W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: ESD protected gate Gate charge: 0.8nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 3A Mounting: SMD Case: SOT363 кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 2960 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI3439KDWA-TP | Виробник : Micro Commercial Co |
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.75A SOT363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 150mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA, 600mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33pF @ 16V, 40pF @ 16V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 500mA, 4.5V, 850mOhm @ 500mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8nC @ 4.5V, 0.86nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 Part Status: Active |
на замовлення 45051 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| SI3439KDWA-TP | Виробник : Micro Commercial Components |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.75A/0.6A 6-Pin SOT-363 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
|
SI3439KDWA-TP | Виробник : Micro Commercial Components |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.75A/0.6A 6-Pin SOT-363 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
SI3439KDWA-TP | Виробник : Micro Commercial Components |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.75A/0.6A 6-Pin SOT-363 T/R |
товар відсутній |