Продукція > VISHAY SILICONIX > SI3430DV-T1-BE3
SI3430DV-T1-BE3

SI3430DV-T1-BE3 Vishay Siliconix

si3430dv.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 1.8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.14W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+35.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI3430DV-T1-BE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 100V 1.8A 6TSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.14W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-TSOP, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V.

Інші пропозиції SI3430DV-T1-BE3 за ціною від 31.59 грн до 94.67 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SI3430DV-T1-BE3 SI3430DV-T1-BE3 Виробник : Vishay Siliconix si3430dv.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 1.8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.14W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
на замовлення 5293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+85.43 грн
10+ 67.55 грн
100+ 52.54 грн
500+ 41.79 грн
1000+ 34.04 грн
Мінімальне замовлення: 4
SI3430DV-T1-BE3 SI3430DV-T1-BE3 Виробник : Vishay / Siliconix si3430dv.pdf MOSFET N-CHANNEL 100V (D-S)
на замовлення 77523 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+94.67 грн
10+ 75.99 грн
100+ 51.51 грн
500+ 43.69 грн
1000+ 35.57 грн
3000+ 32.31 грн
6000+ 31.59 грн
Мінімальне замовлення: 4
SI3430DV-T1-BE3 Виробник : Vishay si3430dv.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.8A
товар відсутній
SI3430DV-T1-BE3 Виробник : Vishay si3430dv.pdf N-Channel 100 V (D-S) MOSFET
товар відсутній