Продукція > VISHAY > SI3421DV-T1-GE3
SI3421DV-T1-GE3

SI3421DV-T1-GE3 Vishay

si3421dv.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+10.3 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI3421DV-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI3421DV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8 A, 0.016 ohm, TSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 4.2W, Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm.

Інші пропозиції SI3421DV-T1-GE3 за ціною від 9.84 грн до 34.94 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SI3421DV-T1-GE3 SI3421DV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3421dv.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+11.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI3421DV-T1-GE3 SI3421DV-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si3421dv.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.2mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2580 pF @ 15 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+11.59 грн
6000+ 10.6 грн
9000+ 9.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI3421DV-T1-GE3 SI3421DV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3421dv.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+12.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI3421DV-T1-GE3 SI3421DV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3421dv.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+12.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI3421DV-T1-GE3 SI3421DV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3421dv.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+13.24 грн
6000+ 12.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI3421DV-T1-GE3 SI3421DV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3421dv.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+17.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI3421DV-T1-GE3 SI3421DV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3421dv.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 8A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+20.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI3421DV-T1-GE3 SI3421DV-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISHS85012-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI3421DV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8 A, 0.016 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.2W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
на замовлення 5964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+21.76 грн
500+ 12.82 грн
1500+ 11.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
SI3421DV-T1-GE3 SI3421DV-T1-GE3 Виробник : VISHAY si3421dv.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -8A; Idm: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 2.7W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 19.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 69nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1163 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+26.13 грн
20+ 18.47 грн
57+ 14.77 грн
157+ 13.98 грн
Мінімальне замовлення: 15
SI3421DV-T1-GE3 SI3421DV-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si3421dv.pdf MOSFET -30V Vds 20V Vgs TSOP-6
на замовлення 32358 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+30.17 грн
13+ 26.14 грн
100+ 18.35 грн
500+ 14.88 грн
1000+ 12.1 грн
3000+ 10.85 грн
9000+ 10.08 грн
Мінімальне замовлення: 11
SI3421DV-T1-GE3 SI3421DV-T1-GE3 Виробник : VISHAY si3421dv.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -8A; Idm: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 2.7W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 19.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 69nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1163 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+31.35 грн
12+ 23.01 грн
57+ 17.73 грн
157+ 16.77 грн
3000+ 16.42 грн
Мінімальне замовлення: 9
SI3421DV-T1-GE3 SI3421DV-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si3421dv.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.2mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2580 pF @ 15 V
на замовлення 19452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+34.59 грн
11+ 28.32 грн
100+ 19.68 грн
500+ 14.42 грн
1000+ 11.72 грн
Мінімальне замовлення: 9
SI3421DV-T1-GE3 SI3421DV-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISHS85012-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI3421DV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8 A, 0.016 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.2W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
на замовлення 5964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
23+34.94 грн
50+ 28.39 грн
100+ 21.76 грн
500+ 12.82 грн
1500+ 11.56 грн
Мінімальне замовлення: 23
SI3421DV-T1-GE3 SI3421DV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3421dv.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 8A 6-Pin TSOP T/R
товар відсутній
SI3421DV-T1-GE3 SI3421DV-T1-GE3 Виробник : Vishay si3421dv.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 8A 6-Pin TSOP T/R
товар відсутній