SI3099-TP Micro Commercial Co
Виробник: Micro Commercial CoDescription: N-CHANNEL MOSFET,SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 408mOhm @ 500nA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 61 pF @ 15 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 2.77 грн |
| 6000+ | 2.48 грн |
| 9000+ | 2.05 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI3099-TP Micro Commercial Co
Description: N-CHANNEL MOSFET,SOT-23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 408mOhm @ 500nA, 10V, Power Dissipation (Max): 830mW, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.72 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 61 pF @ 15 V.
Інші пропозиції SI3099-TP за ціною від 2.89 грн до 16.89 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SI3099-TP | Виробник : Micro Commercial Co |
Description: N-CHANNEL MOSFET,SOT-23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 408mOhm @ 500nA, 10V Power Dissipation (Max): 830mW Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.72 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 61 pF @ 15 V |
на замовлення 10664 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|