![SI2392ADS-T1-GE3 SI2392ADS-T1-GE3](https://www.mouser.com/images/mouserelectronics/lrg/SOT_23_3_t.jpg)
SI2392ADS-T1-GE3 Vishay Semiconductors
на замовлення 49036 шт:
термін постачання 1040-1049 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 44.72 грн |
10+ | 37.83 грн |
100+ | 24.53 грн |
500+ | 19.3 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI2392ADS-T1-GE3 Vishay Semiconductors
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.1A; Idm: 8A; 1.6W; SOT23, Mounting: SMD, Case: SOT23, Kind of package: reel; tape, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 3.1A, On-state resistance: 126mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 1.6W, Polarisation: unipolar, Gate charge: 10.4nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 8A, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції SI2392ADS-T1-GE3
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
SI2392ADS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.1A; Idm: 8A; 1.6W; SOT23 Mounting: SMD Case: SOT23 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 100V Drain current: 3.1A On-state resistance: 126mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.6W Polarisation: unipolar Gate charge: 10.4nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 8A кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
![]() |
SI2392ADS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
SI2392ADS-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
SI2392ADS-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
SI2392ADS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.1A; Idm: 8A; 1.6W; SOT23 Mounting: SMD Case: SOT23 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 100V Drain current: 3.1A On-state resistance: 126mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.6W Polarisation: unipolar Gate charge: 10.4nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 8A |
товар відсутній |