![SI2374DS-T1-GE3 SI2374DS-T1-GE3](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/23a8528bfc07ab43998b946a9b887af1883bfdb8/62911-pt-medium.jpg)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 5.91 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI2374DS-T1-GE3 Vishay
Description: MOSFET N-CH 20V 4.5A/5.9A SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 5.9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 1.7W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735 pF @ 10 V.
Інші пропозиції SI2374DS-T1-GE3 за ціною від 4.66 грн до 34.8 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SI2374DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SI2374DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 5.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 1.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735 pF @ 10 V |
на замовлення 4294 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SI2374DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SI2374DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SI2374DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SI2374DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SI2374DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SI2374DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SI2374DS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.7A; 1.1W; SOT23 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 20V Drain current: 4.7A On-state resistance: 41mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.1W Polarisation: unipolar Gate charge: 7.7nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Mounting: SMD Case: SOT23 |
на замовлення 2720 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SI2374DS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.7A; 1.1W; SOT23 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 20V Drain current: 4.7A On-state resistance: 41mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.1W Polarisation: unipolar Gate charge: 7.7nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Mounting: SMD Case: SOT23 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2720 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SI2374DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 5.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 1.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735 pF @ 10 V |
на замовлення 4837 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SI2374DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 1686 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SI2374DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 154352 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SI2374DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 1686 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |