на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 5.75 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI2371EDS-T1-GE3 Vishay
Description: MOSFET P-CH 30V 4.8A SOT-23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.7A, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 1.7W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V.
Інші пропозиції SI2371EDS-T1-GE3 за ціною від 5.46 грн до 31.9 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI2371EDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET P-CH 30V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI2371EDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 4.8A SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.7A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 1.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI2371EDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI2371EDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI2371EDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 4.8A SOT-23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.7A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 1.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V |
на замовлення 12290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI2371EDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs -30V Vds 12V Vgs SOT-23 |
на замовлення 751749 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI2371EDS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
SI2371EDS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4.8A; Idm: -20A; 1.1W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -4.8A Pulsed drain current: -20A Power dissipation: 1.1W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 45mΩ Mounting: SMD Gate charge: 35nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 5 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
SI2371EDS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4.8A; Idm: -20A; 1.1W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -4.8A Pulsed drain current: -20A Power dissipation: 1.1W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 45mΩ Mounting: SMD Gate charge: 35nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
товар відсутній |