на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 8.28 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI2366DS-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI2366DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.8 A, 0.03 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.1W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції SI2366DS-T1-GE3 за ціною від 8.39 грн до 35.11 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI2366DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 30V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2366DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2366DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2366DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2366DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI2366DS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI2366DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.8 A, 0.03 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.1W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 21109 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI2366DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs 30V Vds 20V Vgs SOT-23 |
на замовлення 25648 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2366DS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI2366DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.8 A, 0.03 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.1W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 21109 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2366DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| SI2366DS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
SI2366DS-T1-GE3 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
 |
SI2366DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
SI2366DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3 |
товару немає в наявності |