на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 5.94 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI2356DS-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI2356DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 4.3 A, 0.042 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.7W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції SI2356DS-T1-GE3 за ціною від 5.74 грн до 31.53 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI2356DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 40V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3486 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
SI2356DS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI2356DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 4.3 A, 0.042 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.7W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SI2356DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
SI2356DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 40V 4.3A TO236 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 3.2A, 10V Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 1.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 20 V |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SI2356DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SI2356DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SI2356DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SI2356DS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI2356DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 4.3 A, 0.042 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.7W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 34639 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SI2356DS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI2356DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 4.3 A, 0.042 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.7W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 34379 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
SI2356DS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 4.3A; Idm: 20A Case: SOT23 Kind of package: reel; tape Technology: TrenchFET® Mounting: SMD Drain-source voltage: 40V Drain current: 4.3A On-state resistance: 70mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.7W Polarisation: unipolar Gate charge: 13nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 20A |
на замовлення 5646 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SI2356DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 40V 4.3A TO236 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 3.2A, 10V Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 1.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 20 V |
на замовлення 21102 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SI2356DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3486 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
SI2356DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 40V Vds 12V Vgs SOT-23 |
на замовлення 108488 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SI2356DS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 4.3A; Idm: 20A Case: SOT23 Kind of package: reel; tape Technology: TrenchFET® Mounting: SMD Drain-source voltage: 40V Drain current: 4.3A On-state resistance: 70mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.7W Polarisation: unipolar Gate charge: 13nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 20A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5646 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|