на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 14 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI2343DS-T1-E3 Vishay
Description: MOSFET P-CH 30V 3.1A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 750mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 15 V.
Інші пропозиції SI2343DS-T1-E3 за ціною від 14.18 грн до 44.37 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SI2343DS-T1-E3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET P-CH 30V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SI2343DS-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 3.1A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 750mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 15 V |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SI2343DS-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SI2343DS-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SI2343DS-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SI2343DS-T1-E3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET 30V 4.0A 1.25W 53 mohms @ 10V |
на замовлення 51091 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SI2343DS-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 3.1A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 750mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 15 V |
на замовлення 21499 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SI2343DS-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 17 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
| SI2343DS-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
|
на замовлення 1340 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
| SI2343DS-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -4A; Idm: -15A Technology: TrenchFET® Mounting: SMD Case: SOT23 Kind of package: reel; tape On-state resistance: 86mΩ Polarisation: unipolar Type of transistor: P-MOSFET Gate charge: 21nC Drain current: -4A Drain-source voltage: -30V Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -15A Power dissipation: 1.25W кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||
| SI2343DS-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -4A; Idm: -15A Technology: TrenchFET® Mounting: SMD Case: SOT23 Kind of package: reel; tape On-state resistance: 86mΩ Polarisation: unipolar Type of transistor: P-MOSFET Gate charge: 21nC Drain current: -4A Drain-source voltage: -30V Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -15A Power dissipation: 1.25W |
товар відсутній |