Продукція > VISHAY SILICONIX > SI2343CDS-T1-BE3
SI2343CDS-T1-BE3

SI2343CDS-T1-BE3 Vishay Siliconix

si2343cd.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta), 5.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+12.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2343CDS-T1-BE3 Vishay Siliconix

Description: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta), 5.9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 15 V.

Інші пропозиції SI2343CDS-T1-BE3 за ціною від 12.98 грн до 46.2 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SI2343CDS-T1-BE3 SI2343CDS-T1-BE3 Виробник : Vishay Siliconix si2343cd.pdf Description: P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta), 5.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 15 V
на замовлення 7771 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+38.39 грн
10+ 31.35 грн
100+ 21.79 грн
500+ 15.97 грн
1000+ 12.98 грн
Мінімальне замовлення: 8
SI2343CDS-T1-BE3 SI2343CDS-T1-BE3 Виробник : Vishay / Siliconix si2343cd.pdf MOSFETs P-CHANNEL 30-V (D-S)
на замовлення 166615 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+46.2 грн
10+ 38.77 грн
100+ 25.19 грн
500+ 19.8 грн
1000+ 18.24 грн
3000+ 15.47 грн
9000+ 15.19 грн
Мінімальне замовлення: 8
SI2343CDS-T1-BE3 Виробник : Vishay si2343cd.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності