на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 11.1 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI2338DS-T1-GE3 Vishay
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6A; Idm: 25A; 1.6W; SOT23, Mounting: SMD, Case: SOT23, Kind of package: reel; tape, Power dissipation: 1.6W, On-state resistance: 28mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Gate charge: 13nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 25A, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 6A, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції SI2338DS-T1-GE3 за ціною від 11.11 грн до 19.95 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SI2338DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 30V 6A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
SI2338DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 6A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
SI2338DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 6A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3482 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
SI2338DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET 30V Vds 20V Vgs SOT-23 |
на замовлення 15678 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||||||||
|
|
SI2338DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 6A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||
|
|
SI2338DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 6A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||
 |
SI2338DS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6A; Idm: 25A; 1.6W; SOT23 Mounting: SMD Case: SOT23 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 1.6W On-state resistance: 28mΩ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 13nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 25A Drain-source voltage: 30V Drain current: 6A кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||
 |
SI2338DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 6A SOT23 |
товар відсутній |
|||||||||||
|
|
SI2338DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 6A SOT23 |
товар відсутній |
|||||||||||
|
|
SI2338DS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6A; Idm: 25A; 1.6W; SOT23 Mounting: SMD Case: SOT23 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 1.6W On-state resistance: 28mΩ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 13nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 25A Drain-source voltage: 30V Drain current: 6A |
товар відсутній |