Продукція > VISHAY > SI2337DS-T1-GE3
SI2337DS-T1-GE3

SI2337DS-T1-GE3 Vishay

si2337ds.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 80V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+27.92 грн
6000+ 25.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2337DS-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI2337DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 2.2 A, 0.216 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 760mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 6V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.216ohm.

Інші пропозиції SI2337DS-T1-GE3 за ціною від 25.03 грн до 74.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SI2337DS-T1-GE3 SI2337DS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2337ds.pdf Trans MOSFET P-CH 80V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+28.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI2337DS-T1-GE3 SI2337DS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2337ds.pdf Trans MOSFET P-CH 80V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+29.04 грн
6000+ 27.31 грн
12000+ 27.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI2337DS-T1-GE3 SI2337DS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2337ds.pdf Trans MOSFET P-CH 80V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+30.68 грн
6000+ 30.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI2337DS-T1-GE3 SI2337DS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2337ds.pdf Trans MOSFET P-CH 80V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+34.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI2337DS-T1-GE3 SI2337DS-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0008073331-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2337DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 2.2 A, 0.216 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 760mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 6V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.216ohm
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+39.07 грн
9000+ 34.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI2337DS-T1-GE3 SI2337DS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2337ds.pdf Trans MOSFET P-CH 80V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+40.45 грн
25+ 27.75 грн
Мінімальне замовлення: 15
SI2337DS-T1-GE3 SI2337DS-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0008073331-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2337DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 2.2 A, 0.216 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 760mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.216ohm
на замовлення 14892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+52.1 грн
500+ 42.8 грн
1500+ 34.29 грн
Мінімальне замовлення: 100
SI2337DS-T1-GE3 SI2337DS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2337ds.pdf Trans MOSFET P-CH 80V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
222+54.46 грн
250+ 52.27 грн
Мінімальне замовлення: 222
SI2337DS-T1-GE3 SI2337DS-T1-GE3 Виробник : VISHAY SI2337DS.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -80V; -1.75A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -80V
Drain current: -1.75A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 4717 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+56.15 грн
11+ 35.05 грн
25+ 31 грн
31+ 27.52 грн
84+ 26.07 грн
Мінімальне замовлення: 7
SI2337DS-T1-GE3 SI2337DS-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si2337ds.pdf MOSFETs -80V Vds 20V Vgs SOT-23
на замовлення 28186 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+64.16 грн
10+ 51.81 грн
100+ 34.2 грн
500+ 30.24 грн
1000+ 26.28 грн
3000+ 25.03 грн
Мінімальне замовлення: 6
SI2337DS-T1-GE3 SI2337DS-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si2337ds.pdf Description: MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 760mW (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 40 V
на замовлення 903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+66.18 грн
10+ 52.36 грн
100+ 40.75 грн
500+ 32.41 грн
Мінімальне замовлення: 5
SI2337DS-T1-GE3 SI2337DS-T1-GE3 Виробник : VISHAY SI2337DS.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -80V; -1.75A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -80V
Drain current: -1.75A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4717 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+67.38 грн
7+ 43.68 грн
25+ 37.19 грн
31+ 33.02 грн
84+ 31.28 грн
Мінімальне замовлення: 5
SI2337DS-T1-GE3 SI2337DS-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0008073331-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2337DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 2.2 A, 0.216 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 760mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.216ohm
на замовлення 14892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+74.71 грн
50+ 63.48 грн
100+ 52.1 грн
500+ 42.8 грн
1500+ 34.29 грн
Мінімальне замовлення: 11
SI2337DS-T1-GE3 SI2337DS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2337ds.pdf Trans MOSFET P-CH 80V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SI2337DS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2337ds.pdf P-MOSFET 2.2A 80V 2.5W 0.27Ω SI2337DS-T1-E3 SI2337DS-T1-GE3 TSI2337ds
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+55.1 грн
Мінімальне замовлення: 10
SI2337DS-T1-GE3 SI2337DS-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si2337ds.pdf Description: MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 760mW (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 40 V
товар відсутній
SI2337DS-T1-GE3 SI2337DS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2337ds.pdf Trans MOSFET P-CH 80V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній