на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 5.94 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI2336DS-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI2336DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.2 A, 0.034 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.8W, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm.
Інші пропозиції SI2336DS-T1-GE3 за ціною від 7.37 грн до 43.09 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI2336DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 30V 5.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI2336DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 5.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI2336DS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.1A; 1.1W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 4.1A Power dissipation: 1.1W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 52mΩ Mounting: SMD Gate charge: 5.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 2625 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI2336DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI2336DS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.1A; 1.1W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 4.1A Power dissipation: 1.1W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 52mΩ Mounting: SMD Gate charge: 5.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2625 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI2336DS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI2336DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.2 A, 0.034 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 1.8 Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034 rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 5789 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI2336DS-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI2336DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.2 A, 0.034 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm |
на замовлення 61294 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI2336DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET 30V Vds 8V Vgs SOT-23 |
на замовлення 46357 шт: термін постачання 611-620 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI2336DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 5.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
|
SI2336DS-T1-GE3 Код товару: 165959 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
|
|
SI2336DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 5.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
SI2336DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 5.2A SOT23-3 |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
SI2336DS-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 5.2A SOT23-3 |
товар відсутній |