Продукція > VISHAY SILICONIX > SI2333DS-T1-E3
SI2333DS-T1-E3

SI2333DS-T1-E3 Vishay Siliconix

si2333ds.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 6 V
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+22.17 грн
6000+ 20.22 грн
9000+ 18.73 грн
30000+ 17.4 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2333DS-T1-E3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5.3A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 750mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 6 V.

Інші пропозиції SI2333DS-T1-E3 за ціною від 21.95 грн до 69.25 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SI2333DS-T1-E3 SI2333DS-T1-E3 Виробник : VISHAY si2333ds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -12V; -5.3A; Idm: -20A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 18nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -20A
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -5.3A
On-state resistance: 59mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
на замовлення 2925 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+57.71 грн
10+ 46.57 грн
25+ 40.91 грн
32+ 28.38 грн
86+ 26.87 грн
1000+ 25.89 грн
Мінімальне замовлення: 8
SI2333DS-T1-E3 SI2333DS-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si2333ds.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 6 V
на замовлення 47256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+58.78 грн
10+ 48.68 грн
100+ 33.71 грн
500+ 26.43 грн
1000+ 22.49 грн
Мінімальне замовлення: 6
SI2333DS-T1-E3 SI2333DS-T1-E3 Виробник : Vishay Semiconductors si2333ds.pdf MOSFETs 12V 5.3A 1.25W 32 mohms @ 4.5V
на замовлення 81640 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+65.26 грн
10+ 53.99 грн
100+ 33.33 грн
500+ 28.04 грн
1000+ 23.84 грн
3000+ 21.95 грн
Мінімальне замовлення: 6
SI2333DS-T1-E3 SI2333DS-T1-E3 Виробник : VISHAY si2333ds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -12V; -5.3A; Idm: -20A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 18nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -20A
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -5.3A
On-state resistance: 59mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2925 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+69.25 грн
10+ 58.03 грн
25+ 49.09 грн
32+ 34.05 грн
86+ 32.24 грн
1000+ 31.06 грн
Мінімальне замовлення: 5
SI2333DS-T1-E3 SI2333DS-T1-E3 Виробник : Vishay si2333ds.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
SI2333DS-T1-E3 SI2333DS-T1-E3 Виробник : Vishay si2333ds.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній